擴散過后的下一個工序是刻蝕，由于擴散采用背靠背擴散，硅片的邊緣沒有遮擋也被擴散上磷（邊緣導通狀態），太陽能電池PN結的正面所收集到的光生電子會沿著邊緣擴散有磷的區域流到PN結的背面，而造成短路，太陽能電池片會因此失效。同時此短路通道等效于降低并聯電阻。另外由于在擴散過程中氧的通入，硅片表面會形成一層二氧化硅，在擴散爐高溫的作用下POCl3與O2形成的P2O5，部分P原子進入Si取代部分晶格上的Si原子形成n型半導體，部分則留在了SiO2中形成PSG（磷硅玻璃）。
1、磷硅玻璃會使得電池片在空氣中表面容易受潮，導致電流和功率的衰減；
2、死層增加了發射區電子的復合，以致少子壽命的降低，進而降低了Voc和Isc；
3、磷硅玻璃會使得PECVD后產生色差。
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